Módulo IGBT Infineon FZ1800R17KF4
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Modulo IGBT Infineon FZ1800R17KF4
Produto novo fora da caixa do fabricante
Marca: Infineon
Modelo: FZ1800R17KF4
Um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor que combina as características de um transistor bipolar de junção (BJT) com as vantagens de um transistor de porta isolada (IGT). Esse módulo é amplamente utilizado em sistemas de potência para controle de energia, conversão de energia e aplicações de eletrônica de potência.
Comutação Rápida: Os IGBTs possuem uma capacidade de comutação rápida, permitindo o controle eficiente da corrente elétrica em um circuito.
Controle de Potência: São projetados para controlar a potência em sistemas eletrônicos, permitindo a variação da tensão ou corrente em cargas elétricas.
Isolamento: A parte de controle do IGBT é isolada eletricamente da parte de potência, o que aumenta a segurança e permite o uso em sistemas de alta tensão.
Alta Tensão e Corrente: Módulos IGBT são capazes de lidar com altas tensões e correntes, tornando-os adequados para aplicações de potência consideráveis.
Esses módulos são fundamentais em sistemas de controle de potência em aplicações industriais e comerciais, onde a eficiência, o controle preciso da potência e a capacidade de lidar com cargas variáveis são cruciais.
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Único
Tensão Coletor-Emissor VCEO Max: 1,7 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 3,5 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 1,8 kA
Corrente de fuga do emissor-gate: 400 nA
Pd - Dissipação de Energia: -
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Data: 20/02/2024
Peso: 2.100 KG
Medidas: 20x16x5
Localizador: B10P4A
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