Módulo IBGT Toshiba MG300Q1US41
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Módulo IBGT Toshiba MG300Q1US41
Produto usado fora da caixa do fabricante
Marca: Toshiba
Modelo : MG300Q1US41
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) foi criado a partir das características do transistor bipolar e o MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor). O transistor bipolar permite manipular elevadas correntes com mínimo de perdas e quedas de tensão, porém, como operam como amplificadores de corrente, exigindo correntes elevadas em suas entradas, acabam possuindo desvantagens em algumas aplicações. O Mosfet (transistor de efeito campo) também permitindo o controle de potências elevadas, sendo componentes de alta impedância (oferecendo baixa tensão de saturação), possuem baixa velocidade de comutação.
O IGBT, juntando as características dos componentes explicados acima, é recomendado para conversões de elevadas cargas/tensões em alta velocidade e para aplicações em baixas frequências.
- Alta impedância de entrada
- Alta velocidade: tf= 0,5us(max.) trr= 0,5us(max.)
- Baixa tensão de saturação: Vce(sat)= 4,0V(max.)
- Modo de aprimoramento
- Os eletrodos são isolados da caixa
Data 26/08/2022
Peso: 0,460
Medidas 6x6x11
Localizador: GP04CL3P3
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IH
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