Módulo IGBT Infineon FZ2400R12KF4
Restam 2- Código
- WS3356
- GTIN
- 4251210402436
- Categoria
- Módulo
- Despacho
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Dados principais do item
- Marca
- Infineon
- SKU / Código interno
- WS3356
- GTIN
- 4251210402436
- Tipo de produto
- Módulo
- Condição
- Novo
- Estoque
- Restam 2
- Comutação Rápida
- Os IGBTs possuem uma capacidade de comutação rápida, permitindo o controle eficiente da corrente elétrica em um circuito.
- Controle de Potência
- São projetados para controlar a potência em sistemas eletrônicos, permitindo a variação da tensão ou corrente em cargas elétricas.
- Isolamento
- A parte de controle do IGBT é isolada eletricamente da parte de potência, o que aumenta a segurança e permite o uso em sistemas de alta tensão.
- Alta Tensão e Corrente
- Módulos IGBT são capazes de lidar com altas tensões e correntes, tornando-os adequados para aplicações de potência consideráveis.
- Categoria de produto
- Módulos IGBT
- RoHS
- N
- Produto
- Módulos de Silício IGBT
- Configuração
- Porta Comum Emissor Triplo Comum
- Pd - Dissipação de Potência
- 10 kW
- Pacote/Caixa
- IHM190
- Peso
- 2,1 kg
- Medidas
- 5x16x20
Sobre o produto
Modulo IGBT Infineon FZ2400R12KF4
Produto novo fora da caixa do fabricante
Um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor que combina as características de um transistor bipolar de junção (BJT) com as vantagens de um transistor de porta isolada (IGT). Esse módulo é amplamente utilizado em sistemas de potência para controle de energia, conversão de energia e aplicações de eletrônica de potência.
Comutação Rápida: Os IGBTs possuem uma capacidade de comutação rápida, permitindo o controle eficiente da corrente elétrica em um circuito.
Controle de Potência: São projetados para controlar a potência em sistemas eletrônicos, permitindo a variação da tensão ou corrente em cargas elétricas.
Isolamento: A parte de controle do IGBT é isolada eletricamente da parte de potência, o que aumenta a segurança e permite o uso em sistemas de alta tensão.
Alta Tensão e Corrente: Módulos IGBT são capazes de lidar com altas tensões e correntes, tornando-os adequados para aplicações de potência consideráveis.
Esses módulos são fundamentais em sistemas de controle de potência em aplicações industriais e comerciais, onde a eficiência, o controle preciso da potência e a capacidade de lidar com cargas variáveis são cruciais.
Categoria de produto: Módulos IGBT
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Porta Comum Emissor Triplo Comum
Tensão do coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,7 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 2,4 kA
Corrente de fuga do emissor-gate: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 10 kW
Pacote/Caixa: IHM190
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Modulo IGBT Infineon FZ2400R12KF4
Produto novo fora da caixa do fabricante
Marca: Infineon
Modelo: FZ2400R12KF4
Um módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor que combina as características de um transistor bipolar de junção (BJT) com as vantagens de um transistor de porta isolada (IGT). Esse módulo é amplamente utilizado em sistemas de potência para controle de energia, conversão de energia e aplicações de eletrônica de potência.
Comutação Rápida: Os IGBTs possuem uma capacidade de comutação rápida, permitindo o controle eficiente da corrente elétrica em um circuito.
Controle de Potência: São projetados para controlar a potência em sistemas eletrônicos, permitindo a variação da tensão ou corrente em cargas elétricas.
Isolamento: A parte de controle do IGBT é isolada eletricamente da parte de potência, o que aumenta a segurança e permite o uso em sistemas de alta tensão.
Alta Tensão e Corrente: Módulos IGBT são capazes de lidar com altas tensões e correntes, tornando-os adequados para aplicações de potência consideráveis.
Esses módulos são fundamentais em sistemas de controle de potência em aplicações industriais e comerciais, onde a eficiência, o controle preciso da potência e a capacidade de lidar com cargas variáveis são cruciais.
Categoria de produto: Módulos IGBT
RoHS:N
Produto: Módulos de Silício IGBT
Configuração: Porta Comum Emissor Triplo Comum
Tensão do coletor-emissor VCEO máx.: 1,2 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,7 V
Corrente Contínua do Coletor a 25 C: 2,4 kA
Corrente de fuga do emissor-gate: 400 nA
Pd - Dissipação de Potência: 10 kW
Pacote/Caixa: IHM190
Data: 20/02/2024
Peso: 2.100
Medidas: 5x16x20
Localizador: A1P2B
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